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關(guān)于感應(yīng)加熱設(shè)備的發(fā)展史高氏細述

信息編輯：鄭州高氏發(fā)布時間：2012-05-09

感應(yīng)加熱來源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象，也就是交變的電流會在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流，從而導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。以下是感應(yīng)加熱發(fā)展的幾個階段：

①1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了第一臺感應(yīng)熔煉爐——開槽式有芯爐，1916年美國人發(fā)明了閉槽有芯爐，從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進入實用化階段。

②20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，較大地促進了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。

③1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開始，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命.

④1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開始飛速發(fā)展。

⑤20世紀(jì)80年代后，電力電子器件再次快速發(fā)展，GTO、MOSFET、IGBT、MCT及SIT等器件相繼出現(xiàn)。

      感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開始采用這些新器件。現(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場合，而MOSFET用于較高頻率場合。據(jù)報道，國外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過1000kW，頻率超過50kHz。而MOSFET較適用高頻場合，通常應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場合，頻率可達到500kHz以上，甚至幾兆赫茲。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置，比如美國研制的2000kW/400kHz的裝置。　

      我國感應(yīng)熱處理技術(shù)的真正應(yīng)用始于1956年，從前蘇聯(lián)引入，主要應(yīng)用在汽車工業(yè)。隨著20世紀(jì)電源設(shè)備的制造，感應(yīng)淬火工藝裝備也緊隨其后得到發(fā)展。現(xiàn)在國內(nèi)感應(yīng)淬火工藝裝備制造業(yè)也日益擴大，產(chǎn)品品種多，原來需要進口的裝備，逐步被國產(chǎn)品所取代，在為國家節(jié)省外匯的同時，發(fā)展了國內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)對象主要是汽車制造業(yè)，今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對感應(yīng)加熱有較大需求。

現(xiàn)在打造的IGBT感應(yīng)加熱設(shè)備功率有超高頻、高頻、超音頻、中頻，功率高達800KW，圖片展示如下：
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